与气体分子的碰撞在蒸发期间是不希望的，因为它们改变材料蒸汽的行进方向，从而可能不利地影响基底的覆盖。 当气体压力低于10-5 Torr时，与气体分子（也称为平均自由程）碰撞之前的蒸汽分子的平均行进距离大于5米，这通常大于室尺寸。 这意味着分子将从源极到基底的直线行进，使电阻蒸发高度定向。 这是在微型和纳米制造中进行剥离工艺的沉积时的重要特征。
有许多使用电阻热蒸发的应用。 我们的许多客户使用它来为其薄膜器件（例如OLED，太阳能电池和薄膜晶体管）沉积金属接触层。 我们的一些客户也使用这种技术来沉积厚的铟层用于晶片接合。 可以使用石英晶体速率传感器，温度或光学监控系统来控制沉积速率，以确保高质量的结果。
电阻蒸发是一种普遍的物理气相沉积技术，因为它的简单性。 在该过程中，使用电能将高真空环境中的材料加热至其蒸发点。 汽化的分子然后从源极移动到基底，在那里它们核化在一起，形成薄膜涂层。 使用这种技术可以沉积的材料包括铝，银，镍，铬，镁等。
电阻蒸发需要高水平的真空度有两个原因。 第一个是当气体从室抽真空时，其内部的蒸气分子可能在与气体分子碰撞之前行进更长的距离。
高真空重要的第二个原因是膜纯度。 存在于空气中的气体如果以某种方式融入沉积物中，则可能对膜性质有害。 这对于氧化金属膜是特别真实的。 通过泵送大部分气体并进入10-6 Torr或以下范围内，蒸发膜的纯度大大提高。
我们通常自行创建定制的具有电阻热蒸发源的沉积系统，或者与其他沉积技术结合使用。
电阻式热蒸发

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